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2007 |
10 |
取得台灣「自我對準溝渠式功率金氧半場效電晶體(MSOFET)裝置及其製造方法」之發明專利（發明第I 287840號） |
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2005 |
10 |
取得美國「Lower the on-resistance in protection circuit of
rechargeable battery by using flip-chip
technology」之發明專利（美國發明第6,917,117號） |
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2005 |
10 |
取得大陸「功率金屬氧化物半導體場效晶體管裝置及其製造方法」之發明專利（大陸發明第ZL01144661.7號） |
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2005 |
5 |
取得台灣「降低功率金氧半場效電晶體(MOSFET)導通電阻之封裝打線改良裝置」之新型專利（新型第M262837號） |
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2005 |
4 |
取得大陸「無焊線式半導體裝置及其封裝方法」之發明專利（大陸發明第ZL02102821.4號） |
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2004 |
12 |
取得大陸「導線架」之發明專利（大陸發明第ZL99123960.1號） |
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2004 |
5 |
取得台灣「利用防衛環(Guard
Ring)連接技術以達成功率半導體元件積體電路化之方法及裝置」之發明專利（發明第196136號） |
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2004 |
5 |
取得大陸「充電電池保護電路用功率場效應晶體管的覆晶安裝方法」之發明專利（大陸發明第ZL01110591.7號） |
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2004 |
4 |
取得台灣「高耐雪崩崩潰電壓元件之裝置，以及提高元件耐雪崩崩潰電壓之方法」之發明專利（發明第194175號） |
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2003 |
12 |
取得台灣「改變功率電晶體閘極結構改善其切換速度之方法」之發明專利（發明第182953號） |
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2003 |
9 |
取得台灣「無焊線式半導體裝置及其封裝方法（一）」之發明專利（發明第176589號） |
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2003 |
7 |
取得台灣「單相降壓型直流電源轉換器整合式封裝構造」之新型專利（新型第199864號） |
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2003 |
5 |
取得台灣「用於降低導通電阻之充電電池保護電路用功率電晶體的覆晶安裝方法」之發明專利（發明第168017號） |
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2003 |
4 |
取得台灣「半導體功率元件之封裝方法及及其裝置」之發明專利（發明第163944號） |
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2003 |
3 |
取得台灣「無焊線式半導體裝置及其封裝方法（二）」之發明專利（發明第165175號） |
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2002 |
9 |
取得台灣「利用井區漸層式摻雜降低功率MOSFET漏電流及提昇崩潰電壓之方法及其裝置」之發明專利
（發明第154006號） |
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2002 |
9 |
取得台灣「降低磊晶層電阻值之溝渠式功率MOSFET裝置及其製造方法」之發明專利（發明第152521號） |
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2002 |
8 |
取得台灣「具有減少反向漏電流急變且提高耐雪崩崩潰電流能力之功率MOSFET裝置及其製造方法」
之發明專利（發明第151542號） |
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2002 |
7 |
取得台灣「用於控制絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)裝置切換速率之方法,以及絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)
裝置及其製造方法」之發明專利（發明第151899號） |
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2002 |
6 |
取得台灣「低導通電阻值功率MOSFET裝置及其製造方法」之發明專利（發明 第151091號） |
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2002 |
6 |
取得台灣「在相同元件面積下以平面式技術取得具有溝渠式技術低導通電阻值之功率MOSFET裝置及其製造方法」之發明專利（發明第151089號） |
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2002 |
6 |
取得台灣「平面式超低導通電阻值之功率MOSFET裝置及其製造方法」之發明專利（發明第151088號） |
2002 |
5 |
取得台灣「具有低接觸電阻值之功率MOSFET裝置」之新型專利（新型第185499號）
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2002 |
4 |
取得台灣「降低導通電阻值及增加耐雪崩崩潰電流能力之功率MOSFET裝置及其製造方法」之發明專利
（發明第147333號） |
2002 |
3 |
取得台灣「利用離子植入技術提升功率MOSFET電晶體開關速率之方法及其裝置」之發明專利
（發明第145832號） |
2002 |
3 |
取得台灣「溝渠式功率MOSFET之改良結構及其製造方法」之發明專利（發明第144201號）
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2001 |
4 |
取得台灣「高功率電晶體在塑膠封裝產品的導線架設計(一)」之新型專利（新型第153576號）
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